NIDEC尼得科-常溫晶片接合裝置-紅外對位

NIDEC尼得科-常溫晶片接合裝置-紅外對位

MWB-04，正式完整型號為 MWB-04/06-R，屬于 NIDEC 尼得科 BONDMEISTER 常溫晶片接合設備系列，是面向科研院所、企業研發中心的半自動化常溫晶圓鍵合設備，主打 4 英寸（100mm）晶圓工藝開發，同時兼容 6 英寸（150mm）樣品，解決傳統高溫鍵合工藝熱膨脹不匹配、熱敏器件損傷、晶片變形等行業痛點，廣泛用于 MEMS 傳感器、光電子、射頻器件、異質集成等前沿半導體研發場景。傳統晶圓接合方案大多依靠高溫加壓實現，當兩片晶片材料不一樣時，熱膨脹系數差異會在冷卻后產生巨大殘余應力，極易造成晶圓翹曲、內部線路斷裂失效，很多光敏、熱敏功能器件無法承受高溫工藝。MWB-04 采用高真空環境下氬離子束表面活化技術，在室溫條件下轟擊晶片表面，去除表面氧化層、吸附污染物，讓兩片晶片表面形成活性共價鍵，實現牢固接合，全程不需要升溫、保溫、降溫、退火流程，從根源規避熱應變帶來的良率損失。該機型為單接合工位設計，一次處理一組兩片晶圓，采用紅外透射式視覺對準，實測對位精度 ±2μm，能夠滿足微米級精細結構堆疊的嚴苛要求。設備為半自動模式，操作人員完成晶圓上料后，設備自動完成真空抽取、離子活化、精密對準、壓合整套工序；配套 PC 端操作軟件，所有工藝參數（離子束能量、活化時長、壓合壓力、保壓時間）均可保存為配方，不同實驗方案一鍵調取，非常適合頻繁更換樣品、對比多組工藝條件的研發工作。設備壓合機構最大輸出壓力 20kN，可根據材料特性設定保壓參數，無論是硅 - 硅同質接合，還是硅與氮化鎵、銅、單晶氧化物這類異質材料接合都可穩定實現。除標準圓形晶圓外，通過定制專用夾具，還可以適配切割后的方形芯片、異形樣品，工藝適配性強。腔體真空度可達 10??Pa 量級，高真空環境能夠避免活化后的晶片表面再次被空氣中雜質污染，保障接合界面的品質穩定。整機針對半導體潔凈車間優化，結構緊湊，占用潔凈室面積更小，安裝調試便捷。設備搭載多重安全保護，真空異常、離子源故障、壓力過載都會自動停機報警，同時記錄完整工藝日志，便于實驗數據追溯復盤。在 BONDMEISTER 產品線中，MWB-04/06-R 是入門研發款，區別于 MWB-04/06/08-AX 全自動量產機型與 MWB-08/12-ST 的 12 英寸大尺寸機型。它不以連續大批量生產為目標，而是優先保障工藝可調性、樣品兼容性，非常適合新工藝探索、樣品打樣、小批量試制；驗證成熟后的工藝配方，可以直接遷移至 AX 量產機型放大生產，工藝可移植性強。